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公开/公告号CN110527954B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-30
原文格式PDF
申请/专利权人 常州大学;
申请/专利号CN201910876378.0
发明设计人 曹先胜;吉高峰;
申请日2019-09-17
分类号C23C14/28(20060101);C23C14/08(20060101);
代理机构32258 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙);
代理人谢新萍
地址 213164 江苏省常州市武进区滆湖路1号
入库时间 2022-08-23 12:13:23
机译: Bi4Ti3O12铁电物质及其生产
机译: Bi4Ti3O12铁电体及其生产
机译: 基于双相[BI4TI3O12] X- [CACU3TI4O12] 1-X复合厚膜的自制补丁天线
机译:过渡金属掺杂(X = Mn,Fe,Co,Ni)对铁电Bi3.15nd0.85Ti2x1012的结构和带隙的影响
机译:铁电Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜中光学带隙的温度依赖性通过紫外透射率测量确定
机译:通过与LaTMO_3(TM = Ti,V,Cr,Mn,Co,Ni和Al)合金化,铁电Bi_4Ti_3O_(12)中的带隙调谐
机译:MOD法制备Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)和Bi_(3.25)Nd_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的结构和铁电性能
机译:PLZT [(Pb,La)(Zr,Ti)O3]薄膜的制备方法及其电学和光学性质的研究。
机译:PMMA /金属氧化物纳米颗粒薄膜的光学表征:使用新型衍生模型的带隙工程
机译:通过Latmo3的合金化(TM = Ti,V,Cr,Mn,Co,Ni和Al)通过合金化在铁电Bi4Ti3O12中调谐的带隙调谐
机译:二硅化钛的形成和性质:Ti-si薄膜应力发展的研究(Vorming en Eigenschappen van Tianium Bisilicide.Een Onderzoek naar spanningsontwikkeling in Dunne Ti-si Lagen)