硅衬底Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的慢正电子束研究

王耘波; 高俊雄; 郭冬云; 于军; 魏龙

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对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化.通过对S参数和W参数的分析,讨论了这类材料中的捕获态特征和结构特点,结果表明,薄膜与硅衬底界面的缺陷为空位-氧复合体,La的掺杂有助于阻止空位-氧复合体向界面的扩散.

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来源
《功能材料》 |2010年第11期|1876-1878,1882|共4页
作者
王耘波; 高俊雄; 郭冬云; 于军; 魏龙;
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作者单位

华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;

华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;

华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;

武汉理工大学,材料学院,湖北,武汉,430070;

华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;

高能物理研究所核分析技术实验室,北京,100049;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类杂质和缺陷;
关键词
慢正电子束; 多普勒展宽谱; Bi4Ti3O12铁电薄膜; 缺陷;

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