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Bi4Ti3O12薄膜的慢正电子束研究

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采用Sol-Gel工艺在p-Si衬底上制备Bi4Ti3O12薄膜,利用慢正电子束测量了不同退火温度处理的Bi4Ti3O12薄膜的S参数与入射正电子能量E的关系,研究退火温度对Bi4Ti3O12薄膜中缺陷的影响.

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来源
《第九届全国正电子谱学术会议》|2005年|17-21|共5页
会议地点浙江绍兴
作者
王耘波; 郭冬云; 于军; 高俊雄; 周春兰; 马创新; 王宝义; 魏龙;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类谱仪;材料结构及物理性质;
关键词
慢正电子束测量; Bi4Ti3O12薄膜; Sol-Gel工艺; 薄膜缺陷; 退火温度; 铁电薄膜;

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