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公开/公告号CN106409324B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-27
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201610621144.8
发明设计人 柳成宪;崔钟贤;孙东佑;吴起硕;
申请日2016-08-01
分类号G11C7/10(20060101);G11C7/12(20060101);G11C8/16(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人钱大勇
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 12:12:50
机译: 位线读出放大器和具有该位线读出放大器的半导体存储器件
机译: 抑制位信号的下拉电压的位线读出放大器以及具有该位线读出放大器的半导体存储器件
机译:DRAM中虚拟开放位线方案的不平衡耐受位线读出放大器
机译:在CDM事件期间DDP DDR3 DRAM位线读出放大器区域中晶体管的寄生诱导的故障机制
机译:具有失调消除功能的反相位线读出放大器
机译:具有本地位线读出放大器,混合LIO读出放大器和无伪阵列结构的1.2V 23nm 6F 2 sup> 4Gb DDR3 SDRAM
机译:浮栅半导体存储器件的耐久性表征和改进
机译:CS2AGBIBR6基存储器件中的可见光辐照改善电阻切换特性
机译:采用分层位线和晶闸管读出放大器的128kb高密度无端口sRam
机译:基于磁性半导体纳米结构的新型非易失性存储器件用于太比特集成