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半导体存储器件及其位线读出放大器操作方法

摘要

一种半导体存储器件包括多个存储单元、多条字线和多条位线,其中每个存储单元耦合到各自的字线和位线。半导体存储器件包括多个读出放大器,其中每个读出放大器耦合到两条位线。半导体存储器件被配置为接收第一正供电电压、第二正供电电压和负供电电压,并且在放大存储单元中的数据的操作中基于负供电电压来确定放大电压的低电平。

著录项

  • 公开/公告号CN106409324B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201610621144.8

  • 发明设计人 柳成宪;崔钟贤;孙东佑;吴起硕;

    申请日2016-08-01

  • 分类号G11C7/10(20060101);G11C7/12(20060101);G11C8/16(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人钱大勇

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 12:12:50

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