机译:超低压SRAM的分层位线架构中的读取位线传感和快速本地回写技术
机译:5.6 Mb / mm 2 1R1W 8T SRAM阵列,工作在低至560 mV的条件下,利用小信号感应,电荷共享位线和非对称感应放大器采用14 nm FinFET CMOS技术
机译:用于抑制28nm CMOS工艺中SRAM感测放大器时序变化的流水线复制位线技术
机译:20nm 0.6V 2.1µW / MHz 128kb SRAM,无交错字线和分层位线方案的半选择问题
机译:Yb:YAG主振荡器功率放大器和PPLN光学参量放大器,用于远程风感测。
机译:通过分解差分放大器实现具有密度可缩放的有源读出像素的4.8μVrms噪声CMOS微电极阵列
机译:一种新型级联控制副本 - 位延迟延迟技术,用于减少SRAM检测放大器的定时过程变化