一种SOI功率开关的ESD保护器件

摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种SOI功率开关的ESD保护器件，包括：P型衬底；P型衬底上的N型深阱；在N型深阱上依次排布的第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱，第二N阱的宽度范围为2‑8μm；第一P阱内包括第一P+注入区、第一N+注入区，在第一P阱和第二N阱之间横跨有第二P+注入区；第二P阱内包括第二N+注入区、第四P+注入区，在第二N阱和第二P阱之间横跨有第三P+注入区；第二N阱上有栅氧化层，栅氧化层的长度范围为0.25～6μm，第一P+注入区和第一N+注入区连接至阳极，第二N+注入区和第四P+注入区连接至阴极，提高了器件的维持电压，降低了器件的触发电压，提高了防护性能。