形成具有经改善的电阻率控制的单晶硅晶锭的方法

摘要

本发明公开形成具有经改善的电阻率控制的单晶硅晶锭的方法，并且尤其为涉及镓或铟掺杂的方法。在一些实施例中，所述晶锭的特征在于相对较高的电阻率。