机译:利用合并的外延横向过生长来形成薄单晶硅膜片的新方法,用于传感器应用
机译:硅合并外延横向过度生长中的缺陷结构
机译:外延横向过生长制备的Ge波导的结晶度改善
机译:一种具有精确厚度的薄单晶硅隔膜的一种新方法,用于使用合并外延横向过度生长制造微机械传感器的潜在用途
机译:使用硅的合并外延横向过生长的IC兼容微机械传感器的处理技术。
机译:硅外延横向过生长形成的sOI岛两个独立层中亚微米mOsFET的垂直积分
机译:结合HVpE横向外延过生长和mBE方法制备的III族氮化物紫外探测器阵列。