AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法

摘要

本公开提供了一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法，涉及半导体技术领域。AlGaInP基发光二极管芯片包括P型电流扩展层和ITO透明导电层，ITO透明导电层包括设置在P型电流扩展层上的第一子层和设置在第一子层上的第二子层，第一子层的功函数大于第二子层，ITO透明导电层的载流子浓度沿ITO透明导电层的垂直生长方向逐渐升高；P型电流扩展层为P型GaP层，P型电流扩展层的厚度为80~100nm。该ITO透明导电层与P型电流扩展层之间可以形成良好的欧姆接触，提高电流的注入效率，从而可以减薄P型电流扩展层的厚度，降低P型电流扩展层对光的吸收，进一步提高LED的发光效率。