形成具有不同高度的升高的漏极与源极区域的晶体管的先进方法

摘要

在极微缩半导体装置中的外延生长半导体区域的高度可在不同装置区域中实行的两个或两个以上的外延生长步骤进行各别调整，其中，在特定装置区域，外延生长掩模选择性阻止半导体区域的形成。在其它实施例中，可对两个或两个以上的不同区域使用一般外延生长制程，并接着在选择的装置区域上进行选择性氧化制程，以精确减少先前在选择区域上外延生长的半导体区域高度。