公开/公告号CN111525003B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 安徽中医药大学;
申请/专利号CN202010386250.9
发明设计人 刘园旭;
申请日2020-05-09
分类号H01L33/00(20100101);H01L21/02(20060101);H01L33/06(20100101);H01L33/32(20100101);C30B25/16(20060101);C30B29/40(20060101);
代理机构34116 安徽汇朴律师事务所;
代理人汪蕙
地址 230031 安徽省合肥市梅山路103号
入库时间 2022-08-23 11:58:49
机译: 在基板上产生外延氮化镓层的方法包括在基板上施加包含碳二亚胺镓的前体化合物,并通过热解转化为结晶氮化镓。
机译: 氮化镓基半导体发光器件,制造氮化镓基半导体发光器件的方法,氮化镓基发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓基发光二极管的方法
机译: 氮化镓半导体发光元件,制造氮化镓半导体发光元件的方法,氮化镓发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓半导体发光二极管的方法