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公开/公告号CN108699727B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-11
原文格式PDF
申请/专利权人 日本碍子株式会社;
申请/专利号CN201780005781.5
发明设计人 渡边守道;佐藤圭;仓冈义孝;今井克宏;七泷努;
申请日2017-02-10
分类号C30B29/38(20060101);H01L31/0392(20060101);H01L33/32(20060101);
代理机构11432 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙);
代理人王轶;郑雪娜
地址 日本国爱知县
入库时间 2022-08-23 11:57:07
机译: 多晶氮化镓自立衬底和使用该衬底的发光器件
机译:基于氨氮化镓外性结构在蓝宝石和硅基板上生长的基于氮化镓异质结构的晶体管特性
机译:多晶氮化镓营养剂的氨热法生长低位错密度的块状氮化镓
机译:氮化氮化物石英玻璃基板上多晶GDN的晶体生长和发光特性
机译:Builk,多晶镓氮化镓和氮化铟处的亚常压压力的生长
机译:氮化铝镓/氮化镓双通道HFET及其在不同基板上的氮化镓器件的实现
机译:氮化镓纳米粒子的自立自组装:综述。
机译:用于发光二极管的图案蓝宝石基板上的选择性掩模形成和氮化镓模板制造
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。