一种含有反向导电槽栅结构的超结MOSFET

摘要

本发明提供了一种超结MOSFET（Metal‑Oxide‑Semiconductor Field Effect Transistor，金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管）器件，其耐压层中第二导电类型的半导体区采用非均匀掺杂以提高该区电阻，并且引入了反向导电的槽型栅极结构以降低体二极管的空穴注入效率。用于反向导电的槽型栅极结构中的导体材料引出端为器件的源极，其侧面与源区以及较轻掺杂的第二导电类型的基区直接接触，底部与耐压层直接接触。与传统超结MOSFET器件相比，本发明的超结MOSFET器件具有更为优异的体二极管反向恢复特性。