公开/公告号CN110904509B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-08
原文格式PDF
申请/专利权人 福建北电新材料科技有限公司;
申请/专利号CN201911363245.X
申请日2019-12-25
分类号C30B29/36(20060101);C30B23/02(20060101);
代理机构11646 北京超成律师事务所;
代理人唐宁
地址 362200 福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦
入库时间 2022-08-23 11:55:21
机译: 碳化硅晶体和碳化硅半导体器件的生长方法
机译: 碳化硅-外延衬底,制备碳化硅的方法-外延生长衬底,制备碳化硅的方法-半导体器件,碳化硅-先于方向生长和碳化硅-先于方向生长元素
机译: 碳化硅二极管,碳化硅晶体管以及制造碳化硅半导体器件的方法