一种超辐射发光二极管外延片、外延片制备方法及芯片

摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种超辐射发光二极管外延片、外延片制备方法及芯片，其中，所述超辐射发光二极管外延片的制备方法为：在衬底表面依次外延生长多层异质结构；在生长发光层时，调节生长温场沿所述衬底预设的晶向方向梯度变化，使所述发光层的厚度和组分沿所述衬底预设的晶向方向梯度变化。本发明通过调节量子阱层的生长温场沿衬底预设的晶向方向梯度变化，可实现外延片的发光波长的梯度分布，由此得到的芯片沿出光方向为多中心波长叠加，且具有波长连续性，可得到宽的平坦的光谱；同时工艺简单易行、易重复，只需一次外延生长成型，大大提高了产品的成品率和可靠性。