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公开/公告号CN109977588B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 大连理工大学;
申请/专利号CN201910276588.6
发明设计人 李东;赵俊飞;叶宏飞;
申请日2019-04-08
分类号G06F30/20(20200101);G06F119/14(20200101);
代理机构21200 大连理工大学专利中心;
代理人温福雪;侯明远
地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
入库时间 2022-08-23 11:54:19
机译: 用于制造FET的单层二硫化钼的装置和使用单层二硫化钼的FET制造方法
机译: 内-富勒烯分子开关装置的分子动力学计算机模拟方法
机译: 包括具有自组装单分子层的光学元件,具有自组装单层分子的光学元件的EUV光刻投影设备,自组装单层分子的应用方法,器件制造方法以及由此制造的器件
机译:水和叔丁醇水溶液中H键网络的剪切模量的分子动力学计算
机译:单壁二硫化钼纳米管中的声子模式:晶格动力学计算和分子动力学模拟
机译:评估分子力学计算的孤立和单层有机分子在石墨上的结合能
机译:通过吸附分子阴离子的单层二硫化钼的电子状态调节
机译:通过分子动力学计算机模拟对有机单层和蛋白质膜系统进行结构研究。
机译:基于分子动力学模拟的机械载荷下单层二硫化钼纳米片的相变
机译:人工智能方法在分子动力学计算中的应用