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单层二硫化钼剪切模量的分子力学计算方法

摘要

本发明属于计算二维纳米材料技术领域,提供了一种单层二硫化钼剪切模量的分子力学计算方法。本发明方法首先构建了在剪切载荷下的分子力学理论模型,推导了表征任意尺寸单层二硫化钼剪切模量的解析表达式并得到其剪切模量。此外,本发明方法通过测定不同特征尺寸的单层二硫化钼分子的剪切模量,得到了单层二硫化钼剪切性质的尺寸效应,结果表明剪切模量随着特征尺寸增大逐渐趋于稳定值。不但避免了实验测定剪切性质带来的成本和困难,而且为在纳米尺度下合理设计和构建单层二硫化钼纳米元器件提供理论基础。

著录项

  • 公开/公告号CN109977588B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201910276588.6

  • 发明设计人 李东;赵俊飞;叶宏飞;

    申请日2019-04-08

  • 分类号G06F30/20(20200101);G06F119/14(20200101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人温福雪;侯明远

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:54:19

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