硅集成电路衬底多频率点下综合耦合参数的快速提取方法

摘要

衬底多频点综合耦合参数提取方法属于IC-CAD技术领域，其特征在于，根据衬底耦合电容提取和综合参数提取的相似性，提出了任意频率下综合耦合参数的两步提取方式：第一步，先提耦合电容参数，第二步，将电容精确修正为该频率下的综合耦合参数。本发明中也同时给出了修正过程的高效实现方式。当使用本方法计算多频率点下耦合参数时，电容参数提取操作只需进行一次，从电容到综合参数的修正过程在各频点各进行一次，但本发明中的修正过程可高效完成，每次仅需很少计算即可完成。因此，本发明对多频点下的综合耦合参数提取问题具有较高效率，同时由于基于严格的数学推导，计算精度也得到了保持。