首页> 中国专利> 辅助写入电路、写入电路及方法、静态存储器及电子设备

辅助写入电路、写入电路及方法、静态存储器及电子设备

摘要

本发明提供了一种辅助写入电路、写入电路及方法、静态存储器及电子设备。辅助写入电路包括:至少一个晶体管电容;固定模块,用于在辅助写操作阶段对下拉位线采用线耦合电容的方式产生耦合电容值,以在下拉位线上产生固定耦合负电压;可调模块用于在辅助写操作阶段选择性地在至少一个晶体管电容中选择晶体管电容与下拉位线相连,以在下拉位线上再叠加产生可调耦合负电压。本发明不仅可以对生产后的产品进行二次调节来满足数据写入的需求,从而提高产品良率;而且还可以减少辅助写入电路的占用面积。

著录项

  • 公开/公告号CN109712651B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都海光微电子技术有限公司;

    申请/专利号CN201811645359.9

  • 发明设计人 姚其爽;

    申请日2018-12-30

  • 分类号G11C7/12(20060101);G11C7/10(20060101);

  • 代理机构11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王艳芬

  • 地址 610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋天府软件园E5座12层23-32号

  • 入库时间 2022-08-23 11:51:48

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号