公开/公告号CN107447254B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;洪铭辉;
申请/专利号CN201710403667.X
申请日2017-06-01
分类号C30B29/00(20060101);C30B25/00(20060101);C30B33/02(20060101);H01L51/05(20060101);H01L51/42(20060101);
代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
入库时间 2022-08-23 11:51:03
机译: 具有阴离子控制介电性能的钙钛矿材料的制造方法以及使用该钙钛矿材料的薄膜电容器装置的制造方法
机译: 具有单晶钙钛矿的材料,包含相同钙钛矿的设备及其制造方法
机译: 包括钙钛矿配合物的复合材料的制造方法,该钙钛矿配合物具有沉积在其上的α-烯烃聚合物