公开/公告号CN111600200B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-07
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州汉骅半导体有限公司;
申请/专利号CN202010499463.2
申请日2020-06-05
分类号H01S5/183(20060101);H01S5/187(20060101);H01S5/30(20060101);
代理机构
代理人
地址 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区11幢303室
入库时间 2022-08-23 11:44:58
机译: 垂直腔面发射激光器和制造垂直腔面发射激光器的方法
机译: 垂直腔面发射激光器,制造垂直腔面发射激光器的方法
机译: 垂直腔面发射激光器,制造垂直腔面发射激光器的方法