公开/公告号CN100440535C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-12-03
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN200510026541.2
申请日2005-06-08
分类号H01L29/78(20060101);H01L27/105(20060101);H01L27/24(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/8239(20060101);
代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;
代理人潘振甦
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 09:01:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-12-03
授权
授权
2006-03-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-01-18
公开
公开
机译: 划定由相变存储器(PCM)和经修饰以具有高膜电阻率的上电极区域分隔的相变存储器(PCM)单元的方法
机译: 形成相变存储器件的方法,该器件能够保持在半导体衬底常数上的相变存储单元的电阻
机译: 相变存储器件,相变沟道晶体管和存储单元阵列