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公开/公告号CN110459649B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN201910774690.9
发明设计人 张延清;齐春华;刘超铭;王天琦;马国亮;陈肇宇;王新胜;霍明学;
申请日2019-08-21
分类号H01L31/18(20060101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人张利明
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 11:41:44
机译: 表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译: 单晶碳化硅衬底的表面改性方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,单晶碳化硅衬底和离子注入退火方法,单晶碳化硅半导体衬底
机译: 单晶碳化硅衬底的表面重整方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,离子注入和退火方法,以及单晶碳化硅衬底和单晶硅碳化硅衬底
机译:SiC单晶衬底上熔融Al-Si合金的润湿和界面行为:添加Cu或Zn和Pd离子注入的影响
机译:评论“使用Si〜+预离子注入到Si衬底上以增强Ge_xsi_(1-x)变质缓冲层的应变弛豫,以在Si衬底上生长Ge层” [应用物理来吧90,083507(2007)]
机译:低能离子注入SiO2 sub> / Si衬底中离子注入Sb + sup>的动力学模拟与RBS测量的比较
机译:位移损伤剂量法分析离子辐照对自制GaAs / Ge太阳电池的影响
机译:通过碳化和单晶衬底的离子注入开发碳化硅衬底。
机译:反应性磁控溅射外延在单模激光作用下在SiOx / Si(001)衬底上单晶纤锌矿GaN纳米棒的选择性区域生长
机译:位移阈值辐照能量对第6H-SiC的深层水平的影响
机译:质子辐照alGaas-Gaas太阳电池深层缺陷的电子特性