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基于键合引线退化的IGBT模块可靠性评估方法及装置

摘要

本发明公开了一种基于键合引线退化的IGBT模块可靠性评估方法及装置,属于IGBT可靠性评估领域,其中,方法的实现包括:获取IGBT芯片导通压降Uces与工作电流Ic和芯片结温Tc之间的关系;对待测IGBT,通过工作电流Ic和芯片结温Tc,得到IGBT芯片的导通压降Uces‑c;使用电压表测取IGBT模块外部导通压降Uces‑m;相减得到芯片与键合引线连接处电压降,结合工作电流得到连接处电阻;当连接处电阻增大到IGBT等效阻抗的5%时,认为IGBT失效。本发明能更准确的表征IGBT的失效特征,使IGBT可靠性评估具有更高的准确性。

著录项

  • 公开/公告号CN111856233B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN202010635550.6

  • 申请日2020-07-03

  • 分类号G01R31/26(20140101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人张宇

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区八一路299号

  • 入库时间 2022-08-23 11:41:19

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