厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法

摘要

本发明公开了一种厚度一致的硅气相外延层的生长装置及生长方法，旨在提供一种外延层厚度一致，便于操作，效率高的硅气相外延层的生长装置及生长方法。该生长装置包括基座本体，在基座本体上有安放槽，安放槽底部的边缘有宽度为1～3mm的台阶，台阶上有深度为1～3mm的环形沟槽，环形沟槽最上端的宽度为1～3mm，台阶下有深度为1～5mm的弧形凹坑。该生长方法包括下述步骤：将硅衬底片放入上述基座的安放槽中，并使硅衬底片上表面低于基座上表面0.1～1mm，之后生长外延层。本发明的工艺简单，既能使外延层厚度一致，同时又能控制滑移线的分布面积，并能消除沉积在表面的金属杂质污染层，提高了硅外延片的质量，保证了产品的性能。