一种SiC单晶片精抛用水基抛光液及其制备方法

摘要

一种SiC单晶片精抛用水基抛光液及其制备方法，将初始抛光液进行预处理至满足第一条件，将预处理后的初始抛光液除杂后得到水基抛光液，所述预处理的方法包括：将初始抛光液置于抛光装置中对SiC单晶片或与SiC单晶片硬度相同的材料进行粗抛处理。本申请通过对抛光液进行粗抛预处理后得到的水基抛光液对SiC单晶片进行精抛的效果达到最佳状态；通过本申请制备的水基抛光液对SiC单晶片精抛后，可以明显降低SiC单晶片表面的损伤和划痕，获得高质量的SiC单晶片。