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公开/公告号CN109742071B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-13
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201910010757.1
发明设计人 蔡小五;刘海南;曾传滨;赵海涛;卜建辉;罗家俊;
申请日2019-01-07
分类号H01L27/02(20060101);
代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;
代理人房德权
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 11:39:06
机译: ESD保护器件,包括该ESD保护器件的半导体器件及其制造方法
机译: 半导体器件和包括ESD保护器件的集成电路,ESD保护器件以及制造该半导体器件的方法
机译:先进SOI技术中用于高速I / O的ESD保护器件的设计与表征
机译:超薄SOI MOSFET中的回跳现象的紧凑等效电路模型和ESD保护器件设计实用指南
机译:低压SOI多指gg-NMOS和NPN ESD保护器件中电流均匀性的实验和数值分析
机译:薄膜SOI中的ESD保护水平器件的预测以及薄膜SOI技术中的新型保护器件
机译:用于深亚微米ESD保护器件的衬底电阻的建模和表征。
机译:一种完全叶绿体基因组的Phyllostachys Nidularia(Bambusoideae:Poaceae)一种物种对中国的物种
机译:Utvaerdering av Explosivaemnesdetektorn mO-2m(评估一种名为mO-2m的爆炸物检测装置)。