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一种基于多绕组变压器耦合的串联SiC MOSFET驱动电路

摘要

本发明提出一种基于多绕组变压器耦合的串联SiC MOSFET驱动电路,所述驱动电路主要由变压器、储能电容以及推挽电路组成。其中变压器起到对串联SiC MOSFET的栅源极电压之间的关系进行约束,保证串联的每个SiC MOSET的驱动电压同步增加和降低,防止出现驱动电压不同步而产生开通关断瞬间的动态电压不均衡的问题;储能电容和推挽结构都是用以保证SiC MOSFET的开通瞬间具有足够的驱动电流,实现SiC MOSFET的快速的开通;同时在关断瞬间为栅源极电压构造泄放回路,保证在较短的时间内实现驱动电压的下降。

著录项

  • 公开/公告号CN110868073B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201910790131.7

  • 申请日2019-08-26

  • 分类号H02M1/088(20060101);H02M1/32(20070101);

  • 代理机构23211 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司;

  • 代理人孙莉莉

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 11:38:54

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