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基于二维材料横向二倍频效应的集成光学自相关器

摘要

本发明公开了一种基于二维材料横向二倍频效应的集成光学自相关器,包括基片、集成于基片上的片上耦合系统、二维材料薄膜、凸透镜和成像相机;片上耦合系统包括光栅耦合器、三个分束比为50:50的1×2分束器、第一S型波导、第二S型波导、第三S型波导、第四S型波导、第一圆弧形波导、第二圆弧形波导、第三圆弧形波导、第四圆弧形波导、第一直波导和第二直波导;二维材料薄膜为具有二阶非线性效应的单层薄膜,二维材料薄膜完全覆盖第一直波导和第二直波导,二维材料薄膜激发的倍频光经凸透镜进入成像相机成像。本发明在具有高时间分辨率的同时大大提高了片上耦合系统的集成度,而且可省去现有技术中常用的延时器,成本低,应用范围广。

著录项

  • 公开/公告号CN111637980B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN202010508791.4

  • 申请日2020-06-06

  • 分类号G02B6/12(20060101);G01J11/00(20060101);G02F1/37(20060101);G02B6/26(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人陈昱彤

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2022-08-23 11:38:49

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