公开/公告号CN108417488B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-06
原文格式PDF
申请/专利权人 吉林大学;
申请/专利号CN201810213884.7
申请日2018-03-15
分类号H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/51(20060101);H01L29/786(20060101);H01L21/34(20060101);
代理机构11363 北京弘权知识产权代理有限公司;
代理人逯长明;许伟群
地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号
入库时间 2022-08-23 11:38:12
机译: 绝缘体结构上的锗的制造方法,绝缘子结构上的锗的制造方法,以及绝缘体结构上的使用锗的晶体管的晶体管
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机译: 制造复合杂质结构,半导体器件,MOSFET晶体管和绝缘栅双极晶体管的方法