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微纳米尺寸图形化薄膜阵列的介电测试系统及方法

摘要

本发明涉及一种用于微纳米尺寸图形化薄膜阵列的介电测试系统,包括:用于测试介电性能的测试单元;绝缘的样品台,样品台上设有第一样品台电极和第二样品台电极;第一样品台电极和第二样品台电极分别与测试单元电连接;相对平行的第一电极和第二电极;第一电极与第一样品台电极电连接,第二电极与第二样品台电极电连接;第一电极和第二电极之间用于夹设微纳米尺寸图形化薄膜阵列;绝缘的测试夹具,其位于样品台上,测试夹具开设有用于放置第一电极、第二电极和微纳米尺寸图形化薄膜阵列的样品槽,测试夹具可拆卸连接有绝缘的紧固单元,紧固单元的一端位于样品槽内且用于对第一电极加压。

著录项

  • 公开/公告号CN111398370B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州大学;

    申请/专利号CN202010251069.7

  • 发明设计人 汤如俊;徐思晨;

    申请日2020-04-01

  • 分类号G01N27/22(20060101);G01N27/72(20060101);G01R27/26(20060101);G01R31/00(20060101);

  • 代理机构32257 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王玉仙

  • 地址 215000 江苏省苏州市吴中区石湖西路188号

  • 入库时间 2022-08-23 11:37:49

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