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具有减小的栅极－源极/漏极电容的半导体晶体管

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摘要

一种新颖半导体结构及形成该结构的方法。半导体结构包括(a)栅极层，(b)在栅极层上的栅极介质层，(c)在栅极介质层上的半导体层。半导体层通过栅极介质层与栅极层电绝缘。半导体层包括(i)与栅极介质层直接物理接触的第一和第二沟道区域，以及(ii)第一，第二和第三源极/漏极区域。第一沟道区域设置在第一和第二源极/漏极区域之间并与之直接物理接触。第二沟道区域设置在第二和第三源极/漏极区域之间并与之直接物理接触。第一，第二和第三源极/漏极区域在栅极层正上方。

著录项

公开/公告号CN100424889C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-10-08

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN200510115136.8
发明设计人朱慧珑;
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申请日2005-11-10
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人于静;李峥
地址美国纽约
入库时间 2022-08-23 09:01:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-11-02

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 授权公告日:20081008 终止日期:20171110 申请日:20051110

专利权的终止
2010-12-15

专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/78 变更前: 变更后: 登记生效日:20101108 申请日:20051110

专利申请权、专利权的转移
2010-12-15

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 变更前: 变更后: 登记生效日:20101108 申请日:20051110

专利申请权、专利权的转移
2008-10-08

授权

授权
2008-10-08

授权

授权
2006-09-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-09-27

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-08-02

公开

公开
2006-08-02

公开

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