在等离子体加工系统中蚀刻时减少光致抗蚀剂变形的方法

摘要

提供了用于在蚀刻衬底上的层时显著减少光致抗蚀剂扭摆的方法。将在光致抗蚀剂掩模下面设有层的衬底置入等离子体加工室，该层在衬底上面。使蚀刻剂源气体混合物流入等离子体加工室，其中蚀刻剂源气体混合物包括氙和活性蚀刻剂，氙的流速至少是蚀刻剂源气体混合物的35%。等离子体从蚀刻剂源气体混合物打出。用等离子体蚀刻该层，其中氙的流速减少了光致抗蚀剂的扭摆。