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机译:在O <下标> 2 下标>等离子体中的光致抗蚀剂的干法蚀刻期间对多孔低钾有机硅酸盐膜的整体介电介电常数的动态。
Moscow Institute of Physics and Technology;
Molecular Electronics Research Institute;
Molecular Electronics Research Institute;
Moscow Institute of Physics and Technology;
机译:在O <下标> 2 下标>等离子体中的光致抗蚀剂的干法蚀刻期间对多孔低钾有机硅酸盐膜的整体介电介电常数的动态。
机译:<![cdata [关于氟碳组分浓度的效果,Cf <下标> 4 下标> + c <下标> 4 下标> f <下标> 8 下标> + ar混合物 等离子体和SiO <下标> 2 下标> / si蚀刻选择性的参数]>
机译:<![CDATA [CDATA [纳米孔AL的介电特性<下标> 2 下标> O <下标> 3 下标>填充铁电SC的胶片(NH <下标> 2 下标>)<下标> 2 下标 >]]]>
机译:对代表性等离子体暴露于恢复过程的极端低k有机硅酸盐介电膜的分析
机译:基于八氟环丁烷的等离子放电的特征,用于二氧化硅和低K介电薄膜的选择性刻蚀和处理。
机译:在−50°C以上的条件下使用微毛细管冷凝对多孔有机硅低k进行无损等离子体刻蚀
机译:在钠铁石Na [下标x](Ti [下标8-x] Cr [下标x])O [下标16]中高频(10 [上标10]至10 [上标12] Hz)分子吸收的分子动力学模拟