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公开/公告号CN100436656C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 西安理工大学;
申请/专利号CN200610105330.2
发明设计人 刘丁;任海鹏;宋念龙;李琦;赵跃;杨润;
申请日2006-12-28
分类号C30B15/22(20060101);
代理机构61214 西安弘理专利事务所;
代理人罗笛
地址 710048 陕西省西安市金花南路5号
入库时间 2022-08-23 09:01:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-11-26
授权
2007-09-26
实质审查的生效
2007-08-01
公开
机译: 多晶硅熔体末端的检测方法,籽晶沉积温度的设定方法以及硅单晶的制造装置
机译: 用检测方法从储存在坩埚内部的硅熔融液中拉出单晶的情况
机译: 用检测方法从容纳在坩埚内部的硅熔融液中拉出单晶的情况
机译:在单向凝固炉中单晶硅的籽晶生长过程中减少坩埚壁附近的多晶区域
机译:铁杂质回扩散对籽晶生长单晶硅籽晶界面附近寿命分布的影响
机译:直拉法在单晶硅提拉炉中液面位置在线测量技术的发展
机译:CZ单晶炉中硅熔化过程的检测方法
机译:通过热线化学气相沉积在低温下在多晶硅籽晶层上外延生长硅。
机译:Al掺杂ZnO籽晶层上具有ZnO纳米棒抗反射涂层的硅线太阳能电池的制备与表征
机译:液硅和长脉冲准分子激光制造的单晶硅TFT
机译:在Czochralski工艺,单晶生长炉中连续补充熔融半导体