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第一章 绪论
第二章 文献综述
2.1 引言
2.2 铸造类单晶硅简介
2.2.1 铸造类单晶硅的生长工艺
2.2.2 铸造类单晶硅的特点
2.2.3 铸造类单晶硅生长工艺的发展
2.3位错概述
2.3.1 位错简介
2.3.2 晶体硅的位错结构以及观察方式
2.3.3 Read圆柱体模型
2.3.4 位错的电学性能
2.3.5 位错的消除
2.4 晶界概述
2.4.1 小角晶界的位错模型
2.4.2 大角晶界的重合点阵模型
2.4.3 晶界的电学结构模型
2.4.4 晶界的电学性能
2.5 评价及存在的一些问题
第三章 实验样品和研究方法
3.1 实验样品和制备方法
3.1.1 实验样品类型
3.1.2 实验样品制备方法
3.2 实验设备
3.2.1 EBIC
3.2.2 DLTS
第四章 原生铸造类单晶硅中缺陷的复合活性
4.1 引言
4.2 实验方法
4.3 实验结果与讨论
4.3.1 原生铸造类单晶硅少子寿命研究
4.3.2 原生铸造类单晶硅EBSD表征及缺陷形貌分析
4.3.3 室温下原生铸造类单晶硅中缺陷复合活性研究
4.3.4 温度对原生铸造类单晶硅中缺陷复合活性的影响
4.4 本章小结
第五章 铁沾污及磷吸杂对铸造类单晶硅缺陷复合活性的影响
5.1 引言
5.2 实验方法
5.3 实验结果与讨论
5.3.1 铁沾污及磷吸杂样品少子寿命研究
5.3.2 铁沾污及磷吸杂对铸造类单晶硅中缺陷室温复合活性的影响
5.3.3 温度对铁沾污及磷吸杂样品中缺陷复合活性的影响
5.4 本章小结
第六章 铸造类单晶硅中缺陷的DLTS研究
6.1 引言
6.2 实验方法
6.3 实验结果与讨论
6.3.1 原生铸造类单晶硅底部样品研究
6.3.2 原生铸造类单晶硅缺陷DLTS研究
6.3.3 铁沾污样品缺陷DLTS研究
6.4 本章小结
第七章 总结
参考文献
致谢
个人简历
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果
