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化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性的改善方法

摘要

本发明涉及一种化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性的改善方法。该化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性的改善方法包括:降低非晶硅镀膜结构中高速沉积非晶硅层所占厚度比例;以及选定化学气相沉积制备高速沉积非晶硅层的关键参数,使得所述高速沉积非晶硅层均匀性较佳;所述非晶硅镀膜结构中高速沉积非晶硅层所占厚度比例小于70%。应用本发明化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性改善方法改善非晶硅镀膜均匀性后,机台间差异变小,且整体随时间及机台变化较小,镀膜稳定,对产品特性及品质稳定有较大帮助。

著录项

  • 公开/公告号CN109913858B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-03-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TCL华星光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201910190768.2

  • 发明设计人 王鹏翔;

    申请日2019-03-13

  • 分类号C23C16/52(20060101);C23C16/24(20060101);

  • 代理机构44265 深圳市德力知识产权代理事务所;

  • 代理人林才桂;刘巍

  • 地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:36:27

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