双层外延片的生长方法及双层外延片

摘要

本发明公开了一种双层外延片的生长方法及双层外延片，生长方法为：在衬底上生长缓冲层，然后在缓冲层上生长耐压层；在缓冲层生长后、耐压层生长前，进行吹扫，吹扫的时间大于等于120s且小于等于300s。本发明研究双层外延片的耐压层过渡区宽的问题，其原因是缓冲层生长完成后，外延机台的气体管路中仍会残留该层生长使用的高浓度掺杂气体，如磷烷、硼烷等，从而导致在低浓度生长的耐压层的过渡区宽，本发明将标准吹扫时间的30～45s改为大于等于120s且小于等于300s，可以解决这个问题。