基于PNPN结构的双向隔离型ESD保护器件

摘要

本发明公开了一种基于PNPN结构的双向隔离型ESD保护器件，包括P型衬底，P型衬底内设有N型埋层，且在其上覆盖P型外延，P型外延内且在N型埋层之上设有高压N阱环，高压N阱环包裹的P型外延内设有第一低压N阱、第二低压N阱和高压P阱，第一低压N阱内注有第一P+区和第一N+区，第二低压N阱内注有第二P+区和第四N+区，第二N+区横跨于第一低压N阱与高压P阱边界，第三N+区横跨于第二低压N阱与高压P阱边界，P型外延、第一低压N阱、高压P阱和第二低压N阱未注有器件的顶部区域及高压N阱环的顶部区域上均覆盖有氧化隔离层。本发明可以支持端口工作在正向或负向电压，器件结构简单，所占芯片面积更小。