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公开/公告号CN110303385B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军国防科技大学;
申请/专利号CN201910573669.2
发明设计人 田野;宋辞;周港;石峰;彭小强;
申请日2019-06-28
分类号B24B1/00(20060101);B24B55/00(20060101);
代理机构43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙);
代理人谭武艺
地址 410073 湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号
入库时间 2022-08-23 11:33:43
机译: 单晶碳化硅种子结晶的液相生成方法,单晶碳化硅种子结晶,单晶碳化硅种子结晶液相,液相结晶生成方法,单晶硅酸盐,单晶硅酸盐,单晶硅酸盐基质和单晶碳化硅种子晶体基质
机译: 抛光液,浓缩液,使用抛光液生产抛光制品的方法以及使用抛光液进行基质抛光的方法
机译: 抛光液,浓缩液,使用抛光液对处理过的物品进行抛光的制造方法以及使用抛光液对基质进行抛光的方法
机译:基于超声雾化的单晶硅抛光中减少抛光浆废料的研究
机译:基于超声雾化的抛光单晶硅抛光浆料废物减少研究
机译:实现单晶硅的无损抛光
机译:实现无损抛光单晶硅硅
机译:通过抛光湿法蚀刻方法改善基于模板的碳纳米管阵列纳米成制造方法
机译:与替代方法相比基于化学机械抛光的3D种植牙表面改性评估
机译:通过基于Aerosil的悬浮液抛光来对蓝宝石进行化学机械抛光
机译:利用离子色谱和统计学方法测定镀铬和电解抛光液中的重要酸