雾化施液单晶硅互抛抛光速率实验研究

摘要

调节自配抛光液的H 2O 2含量、pH值、抛光盘转速和抛光压力,通过电化学实验,探究单晶硅互抛抛光过程中抛光工艺参数对腐蚀电位、腐蚀电流和抛光速率的影响规律,并解释其电化学机理。实验结果表明:雾化施液单晶硅互抛抛光速率随着pH值、H 2O 2浓度和抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,并在pH值为10.5、H 2O 2浓度为2%、抛光盘转速为70 r/min处达到最大值,随着抛光压力的不断增大而增大;通过雾化施液单晶硅互抛抛光实验得到合理的工艺参数:pH值为10.5、H 2O 2浓度为2%、抛光盘转速为60 r/min、抛光压力为7 psi,在该参数下,硅片的抛光速率达到635.2 nm/min,表面粗糙度达到4.01 nm。