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一种在泡沫镍上的N-NiZnCu LDH/rGO纳米片阵列材料的制备方法和应用

摘要

本发明通过水热和煅烧反应合成了一种生长在镍泡沫上低析氢电位的双功能催化剂N‑NiZnCu LDH/rGO纳米片,并分析了该材料的形貌、结构和电化学性能。实验表明,阳极和阴极都使用泡沫镍上N‑NiZnCu LDH/rGO的电解槽,在10mA·cm‑2的电流密度下,UOR,AOR和HzOR的槽电压分别为1.305V,0.489V和0.010V,均比贵金属电解槽Pt/C||IrO2的电位低,并且在3000次循环后其电流密度基本保持不变,稳定性好。另外,对比一些近年的析氢材料的电位,相同电流密度下N‑NiZnCu LDH/rGO的电位依然是很低的。因此,本发明的纳米片材料作为双功能催化剂具有很大潜力。

著录项

  • 公开/公告号CN110230072B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖北大学;

    申请/专利号CN201910371766.3

  • 申请日2019-05-06

  • 分类号C25B11/031(20210101);C25B11/061(20210101);C25B11/091(20210101);C25B1/04(20210101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11401 北京金智普华知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨采良

  • 地址 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

  • 入库时间 2022-08-23 11:32:53

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