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具有阻挡层的半导体晶片和半导体器件及其制造方法

摘要

切割半导体晶锭,以获得具有前侧表面和与所述前侧表面平行的后侧表面的半导体切片。钝化层直接形成在所述前侧表面和所述后侧表面中的至少一个上。由碳化硅、三元氮化物和三元碳化物中的至少一种形成的阻挡层形成在所述后侧表面上。

著录项

  • 公开/公告号CN108074995B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201711098619.0

  • 申请日2017-11-09

  • 分类号H01L31/0224(20060101);H01L31/0236(20060101);H01L31/0745(20120101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人周家新

  • 地址 德国瑙伊比贝尔格市

  • 入库时间 2022-08-23 11:32:42

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