形成有选择性沉积蚀刻停止层的自对准通孔的方法和装置

摘要

在衬底上方形成互连结构的层。该层含有层间介电(ILD)材料和在ILD中设置的金属线。在ILD上但是不在金属线上形成第一蚀刻停止层。通过选择性原子层沉积(SALD)工艺形成第一蚀刻停止层。在第一蚀刻停止层上方形成第二蚀刻停止层。在第一和第二蚀刻停止层之间存在较高的蚀刻选择性。形成的通孔至少部分地与金属线对准，并且电连接至金属线。在通孔的形成期间，第一蚀刻停止层防止ILD被蚀刻穿过。本发明的实施例还涉及形成有选择性沉积蚀刻停止层的自对准通孔的方法和装置。