首页> 中国专利> 快速制备Mg2(Si0.5Sn0.5)1-ySby(0≤y≤0.025)的方法

快速制备Mg2(Si0.5Sn0.5)1-ySby(0≤y≤0.025)的方法

摘要

本发明涉及一种快速制备Mg2(Si0.5Sn0.5)1‑ySby材料的方法,它包括以下步骤:1)以Mg粉、Si粉、Sn粉和Sb粉作为原料,按化学计量比进行称量,然后将它们研磨混合均匀得到反应物;2)将步骤1)所述反应物进行冷压成型;3)将步骤2)中得到的冷压块体在恒温炉中引发热爆反应,反应完成后取出,可得到单相Mg2(Si0.5Sn0.5)1‑ySby材料;4)将步骤3)所得单相材料研磨成粉,进行放电等离子体(SPS)烧结,可以得到致密的单相Mg2(Si0.5Sn0.5)1‑ySby块体材料。采用该方法,可在1min反应得到所需单相产物,15min内可得到单相的致密块体。本发明具有反应速度快、设备简单、重复性好和高效节能等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN109487106B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 太原理工大学;

    申请/专利号CN201910037962.7

  • 申请日2019-01-16

  • 分类号C22C1/05(20060101);C22C13/00(20060101);

  • 代理机构14100 太原科卫专利事务所(普通合伙);

  • 代理人朱源;曹一杰

  • 地址 030024 山西省太原市迎泽西大街79号

  • 入库时间 2022-08-23 11:31:59

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号