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公开/公告号CN108138361B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-12
原文格式PDF
申请/专利权人 日本碍子株式会社;
申请/专利号CN201680052907.X
发明设计人 平尾崇行;岩井真;今井克宏;吉野隆史;
申请日2016-09-30
分类号H01L21/20(20060101);H01L21/208(20060101);C30B29/38(20060101);C30B19/12(20060101);
代理机构11432 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙);
代理人王轶;郑雪娜
地址 日本国爱知县
入库时间 2022-08-23 11:31:44
机译: 外延金刚石膜的基底基板,外延金刚石膜的基底基板的制造方法,由该外延金刚石膜的基底基板制造的外延金刚石膜,以及外延金刚石膜的制造方法
机译: 用于形成构成金属基底基板的树脂层的金属基底基板树脂组合物的制造方法以及金属基底基板,
机译: 外延金刚石膜基底基板的制造方法以及使用该基底基板的外延金刚石膜的制造方法
机译:印刷电路用铝基板及其制造方法,印刷基板及其制造方法
机译:用于印刷电路的铝基板及其制造方法,以及制造印刷电路板及其制造方法
机译:半导体发光元件的基板的制造方法及使用该基板的半导体发光元件的方法的专利
机译:高效制造塑料基板金属纳米型阵列的制造方法(超细切削检查细槽处理方法到石英玻璃基板)
机译:一种直接的一般方法的开发,表征和应用,可在平面玻璃基板,瓦楞基底和高度多孔胶原胶支架上进行光学生成图案和梯度
机译:通过简单的转移印刷方法在各种基板上制造纳米线器件
机译:使用光敏TiO2溶胶 - 凝胶方法在平面和圆柱形基板上的谐振波导光栅制造
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。