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公开/公告号CN107275309B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-09
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201710356176.4
发明设计人 S·金;俞辉在;S·科萨拉朱;T·格拉斯曼;
申请日2011-12-20
分类号H01L23/522(20060101);H01L23/532(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人林金朝;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 11:31:24
机译: 形成低温保形电介质膜的方法
机译: 保形低温介电扩散障碍
机译:高性能保形有机薄膜晶体管弹性电介质的容易剥离修改方法
机译:使用细丝辅助CVD沉积的低kappa电介质对高纵横比TSV进行保形隔离
机译:时域非保形VSIE分析复合导电介质中EM的散射
机译:湿法优化将保形Cu扩散屏障沉积到TSV中
机译:在低温CVD中控制反应表面以增强成核作用和保形覆盖。
机译:低温共烧透辉石玻璃陶瓷微波电介质中银扩散的控制
机译:上述冷冻至超低温下caja种子的表观热扩散率在高于冰点至超低温的温度下,箱形种子的表观热扩散率
机译:复合材料,低温,保形,普通隔板,气凝胶绝缘罐(CBaT)材料和加工方法