公开/公告号CN105845558B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-29
原文格式PDF
申请/专利权人 诺发系统有限公司;
申请/专利号CN201610319106.7
申请日2009-08-17
分类号H01L21/288(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/98(20060101);C25D3/38(20060101);C25D7/12(20060101);C25D17/00(20060101);C25D21/12(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人沈锦华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 11:30:27
机译： 穿硅通孔（TSV）工艺
机译： 防止通过硅通孔（TSV）填充的高深宽比铜有害膨胀的工艺和材料
机译： 硅通孔填充工艺
