一种基于GaAs HBT工艺的功放芯片偏置电路

摘要

本发明公开了一种基于GaAs HBT工艺的功放芯片偏置电路，涉及新一代信息技术。针对现有技术中温度补偿手段对体积、功率等负面影响的问题提出本方案。利用二极管和第一电阻获得温度感应电阻，同时串接若干HBT管以代替传统电阻，在每一HBT管均引出一路偏置电压，实现多阶正温度系数电压输出。进一步将此电压通过电流镜和正温系数第二电阻转化，为功放芯片提供温漂抑制的偏置电流。有效应对了移动设备对高集成度、高功率输出、高稳定性、低成本的需求。使得其在实现上能以很低的复杂度与较高的可靠性满足移动设备功放芯片在体积、功耗、长期可持续工作等方面的苛刻要求，具有良好的推广价值。