非晶薄膜后氢化处理方法及硅异质结太阳电池制备方法

摘要

本发明提供一种非晶薄膜的后氢化处理方法及硅异质结太阳电池制备方法，后氢化处理方法包括：提供一待处理非晶薄膜，并将其置于一设置有热丝的反应腔室中；向反应腔室中通入反应气体，热丝催化分解反应气体至少产生氢原子，并对待处理非晶薄膜进行热辐射，从而使得氢原子扩散至所述待处理非晶薄膜内，以实现对待处理非晶薄膜的后氢化处理。本发明的非晶薄膜的后氢化处理方法，通过在热丝热辐射条件下，使得原子氢在处理非晶薄膜的过程中扩散到薄膜内，减少薄膜内的悬挂键等缺陷态密度，本发明的后氢化处理方法可以应用到非晶硅/晶体硅异质结太阳电池中，如其窗口材料中，能够显著提高窗口层的钝化性能及透光性能，提高太阳电池的光电转换效率。