纳米硅(nc-Si∶H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池计算机模拟

摘要

文章运用美国宾州大学发展的 AMPS程序模拟计算了 n-型纳米硅 ( n+ -nc-Si∶ H) /p-型晶体硅 ( p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性。结果显示 ,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素 ,显著影响电池的开路电压 ( VOC和填充因子 ( F F)。计算得到了这种电池理想情况下 (无界面态、有背面场、正背面反射率分别为 0和 1 )的理论极限效率 ηmax=3 1 .1 7% ( AM1 .5 1 0 0 MW/cm2 0 .40～ 1 .1 0 μm波段 )。